Розглянуто аспект якісного розв'язання проблем трудового виховання, навчання і профорієнтації підлітків на уроках трудового навчання, пошук нових шляхів удосконалення існуючих форм організації трудової підготовки, формування інтересу учнів до майбутньої професії і орієнтація їх на професії промислового виробництва, а також виховання позитивного відношення до соціального статусу робітника - запоруку успішної профадаптації молодих робітників-випускників навчальних закладів на виробництві.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В379.4

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто експериментальне визначення зусилля виривання фіксуючих гвинтів безпосередньо до кортикального шару кістки під час використання полімерного осердя для створення стабільного накісткового остеосинтезу.

Висвітлено науковий внесок одного з фундаторів оптичної спеціальності й організаторів інженерно-технічного факультету, засновника кафедри кореляційної оптики в Чернівецькому університеті.

Приведено результати застосування аналітичного методу абсорбційного спектрального аналізу до плазми крові людини у двохкомпонентному наближенні, вважаючи, що основний внесок в характер спектрів поглинання плазми в УФ-області вносять білки: альбуміни та глобуліни. На прикладі плазми крові донорів доведено правомірність такого наближення. Встановлено, що значення альбумін/глобулінового коефіцієнта можна використати як оптичний тест для діагностики гострого апендициту та холециститу, а також кишкової непрохідності в момент госпіталізації і для оцінки ефективності лікування у післяопераційний період.

Досліджено залежність ємності асиметричних суперконденсаторів, виготовлених із вуглецевої тканини, від співвідношення мас електродів. Встановлено формулу, яка дозволяє розрахувати оптимальне співвідношення мас електродів. Розраховано оптимальне співвідношення мас для даного електродного матеріалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.54 + В381.592

Рубрики:

Детектори випромінювання Вавілова-Черенкова (черенківські лічильники і спектрометри)

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Надано результати визначення структурних параметрів кристалів CdTe за допомогою штучних нейронних мереж на основі Х-променевих кривих дифракційного відбивання. Використано тришарову мережу зі зворотним розповсюдженням помилки та з динамічним додаванням нейронів. За допомогою створеного програмного забезпечення проведено моделювання роботи нейромережі. Проаналізовано вплив параметрів нейронної мережі на час навчання і на помилку мережі для тестових зразків. Показано, що динамічне додавання нейронів у поєднанні з коректним вибором топології й параметрів мережі дозволяє зменшити час навчання.

У наближенні ефективної маси досліджено спектр електрона в еліптичному квантовому дроті GaAs. Одержано точний енергетичний спектр електрона у випадку безмежного потенціального бар'єра для електрона на межі квантового дроту та наближені розв'язки рівняння Шредінгера у випадку скінченної висоти потенціального бар'єра на межі поділу середовищ GaAs/AlxGa1 - xAs.

У наближенні ефективних мас і прямокутного потенціалу розраховано енергетичні спектри електронів у складній комбінованій напівпровідниковій наногетеросистемі, що складається з циліндричного напівпровідникового квантового дроту, який перпендикулярно перетинає плоску квантову яму, і розташовані в зовнішньому середовищі. Показано, що електрон у такій системі характеризується п'ятьма квантовими числами, що пов'язано із наявністю п'яти ступеней вільності для квазічастинки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу імпульсного лазерного випромінювання виготовлено тонкі епітаксійні шари CdSb і виміряно їх електрофізичні властивості. Встановлено, що в перекристалізованому матеріалі відбувається утворення і загартування теплових дефектів акцепторного типу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7 + З843.412

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Сегнетоелектрики

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.33

Рубрики:

Парамагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено інтеркаляцію моноселеніду індію магнієм із парової фази. Досліджено температурні залежності концентрації вільних електронів, їх холлівської рухливості, провідності в різних кристалографічних напрямках і термоерс. Здійснено порівняння електричних характеристик вихідного, відпаленого у вакуумі та інтеркальованого кристалів. Встановлено, що інтеркаляція найбільш істотно змінює анізотропію електропровідності.

Досліджено опромінені високоенергетичними електронами (Е = 18 МеВ) монокристали кремнію з використанням методів високороздільної Х-променевої дифрактометрії. Виявлено особливості поведінки КДВ та зміни форми контурів ізодифузних ліній. Для пояснення використано узагальнену динамічну теорію Брег-дифракції Х-променів у кристалах, що містять дефекти кількох типів (сферичні і дископодібні кластери та дислокаційні петлі) та порушений приповерхневий шар.

Одержано й досліджено напівпровідникові гетеропереходи GaSe - InSe. Виміряно електричні параметри гетеропереходу залежно від прикладеного одновісного механічного навантаження до торців від 0 до 60 кПа за умов постійної температури 300 K. Виявлено, що під час збільшення тиску густина струму через гетеромежу зростає через збільшення площі оптичного контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe.